近幾年隨著器件集成度的增加, 芯片尺寸、切割道寬等相應地不斷縮小。晶圓及芯片的厚度越來越薄，但由于半導體材料的脆性，傳統(tǒng)切割方式會對晶圓的正面和背面產生機械應力，而高速的水流也會給晶圓帶來形變壓力，結果在芯片的晶體內部產生應力損傷, 容易產生崩邊現象，同時產生碎屑污染，降低芯片的機械強度，初始的芯片邊緣裂隙在后續(xù)的封裝工藝中或在產品的使用中會進一步擴散，從而可能引起芯片斷裂，導致電性能失效。

       由于紫外光的波長在 0.4 μm 以下,并且聚焦點可小到亞微米數量級,使得紫外激光在芯片劃切時, 紫外激光工藝的切口 (在切割時材料損失的部分)比其他技術的更窄，切口寬度均小于3μm，并且切口更緊密、切口邊緣更平直、更精細和更光滑。由于紫外激光具有良好的聚焦性能和冷處理的特性,使得紫外激光可以加工極其微小的部件；不僅如此，可以被用來加工紅外和可見光激光器加工不了的材料。從而使紫外激光有更高的靈活性和更廣的應用場合。

       由于紫外激光切割技術在半導體芯片切割中的優(yōu)勢，國外已經廣泛采用這項工藝技術，特別是在一些高端的芯片 (如薄芯片、GaAs 晶圓)和量產的芯片(如藍光 LED 制造)方面。目前來看紫外激光技術還有很大的待開發(fā)潛能，它將在單位晶圓裸片數量和縮短投資回收期方面有進一步的發(fā)展，它將為半導體芯片切割開拓出一片嶄新的前景。

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